အင်္ဂါနေ့ ဒီဇင်ဘာ 21 ရက် 21:38:37 CST 2021
Electret microphone တွင် acoustic electric conversion နှင့် impedance conversion တို့ ပါဝင်ပါသည်။acoustoelectric ပြောင်းလဲခြင်း၏ အဓိကဒြပ်စင်မှာ အီလက်ထရစ်ဒိုင်ယာဖရာမ်ဖြစ်သည်။၎င်းသည် အလွန်ပါးလွှာသော ပလပ်စတစ်ဖလင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး တစ်ဖက်တွင် ရွှေစင်အလွှာကို အငွေ့ပျံသွားစေသည်။ထို့နောက်၊ မြင့်မားသောဗို့အားလျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏လျှပ်စစ်ပြီးနောက်၊ နှစ်ဖက်စလုံးတွင် anisotropic charges ရှိသည်။အငွေ့ပျံသွားသော ရွှေမျက်နှာပြင်သည် အပြင်ဘက်တွင်ရှိပြီး သတ္တုခွံနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ဒိုင်ယာဖရမ်၏ အခြားတစ်ဖက်ကို သတ္တုပြားမှ ပါးလွှာသော လျှပ်ကာအဖုံးဖြင့် ခွဲထားသည်။ဤနည်းအားဖြင့်၊ အငွေ့ပြန်ထားသော ရွှေဖလင်နှင့် သတ္တုပြားကြားတွင် ကာဗက်စီတန်ကို ဖွဲ့စည်းသည်။အီလက်ထရတ်ဒိုင်ယာဖရမ်သည် acoustic တုန်ခါမှုကို ကြုံတွေ့ရသောအခါ၊ Capacitor ၏အစွန်းနှစ်ဖက်ရှိ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းသည် ပြောင်းလဲသွားကာ acoustic wave ပြောင်းလဲမှုနှင့်အတူ လျှပ်စီးကြောင်းပြောင်းသွားကာ လျှပ်စီးကြောင်းတစ်ခု ပြောင်းလဲသွားပါသည်။Electret diaphragm နှင့် သတ္တုပြားကြားရှိ စွမ်းရည်သည် သေးငယ်သည်၊ ယေဘုယျအားဖြင့် ဆယ်ဂဏန်း PF ဖြစ်သည်။ထို့ကြောင့်၊ ၎င်း၏ output impedance တန်ဖိုးသည် အလွန်မြင့်မားသည် (XC = 1/2 ~ TFC) ဆယ်ဂဏန်း megaohms သို့မဟုတ် ထို့ထက် ပိုသည်။ထိုကဲ့သို့သော မြင့်မားသော impedance သည် အသံချဲ့စက်နှင့် တိုက်ရိုက်မယှဉ်နိုင်ပါ။ထို့ကြောင့်၊ junction field effect transistor ကို impedance အဖြစ်ပြောင်းလဲရန်အတွက် မိုက်ခရိုဖုန်းသို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။FET သည် မြင့်မားသော input impedance နှင့် ဆူညံသံနည်းပါးသောပုံဖြင့် လက္ခဏာရပ်များဖြစ်သည်။အသုံးများသော FET တွင် လျှပ်ကူးပစ္စည်း သုံးခုပါရှိသည်- တက်ကြွသောလျှပ်ကူးပစ္စည်း (များ)၊ ဂရစ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း (g) နှင့် drain electrode (ဃ)။ဤတွင်၊ အတွင်းအရင်းအမြစ်နှင့်ဂရစ်အကြားရှိအခြား diode ပါသောအထူး FET ကိုအသုံးပြုသည်။Diode ၏ရည်ရွယ်ချက်မှာ FET အား ပြင်းထန်သောအချက်ပြသက်ရောက်မှုမှကာကွယ်ရန်ဖြစ်သည်။FET ၏တံခါးသည် သတ္တုပြားတစ်ခုနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ဤနည်းအားဖြင့်၊ လျှပ်စစ်မိုက်ခရိုဖုန်း၏ အထွက်လိုင်းသုံးလိုင်းရှိသည်။ဆိုလိုသည်မှာ အရင်းအမြစ် s သည် ယေဘူယျအားဖြင့် အပြာရောင်ပလပ်စတစ်ဝါယာကြိုးဖြစ်ပြီး D သည် ယေဘူယျအားဖြင့် အနီရောင်ပလပ်စတစ်ဝါယာကြိုးဖြစ်ပြီး သတ္တုခွံကို ဆက်သွယ်ထားသော ကျစ်ထားသော အကာအရံများဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၂၈-၂၀၂၃